We consider an inverse problem which arises in the framework of identification of doping profiles for semiconductor devices, based on current measures for varying voltage. We set formally the inverse problem, and study and discuss the main properties of the resulting problem.

Inverse doping problems for a P-N junction

ALI', Giuseppe;
2006-01-01

Abstract

We consider an inverse problem which arises in the framework of identification of doping profiles for semiconductor devices, based on current measures for varying voltage. We set formally the inverse problem, and study and discuss the main properties of the resulting problem.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.11770/138949
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 3
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact