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EnglishEpitaxy, Overlayer Growth, and Surface Segregation for Co/GaAs (110) and Co/GaAs (100)-c(8x2) / Xu, Fang; Joyce, Jj; Ruckman, Mw; Chen, Hw; Boscherini, F; Hill, Dm; Chambers, Sa; Weaver, Jh. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - 35(1987), pp. 2375-2384.
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| Titolo: | Epitaxy, Overlayer Growth, and Surface Segregation for Co/GaAs (110) and Co/GaAs (100)-c(8x2) |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 1987 |
| Rivista: | |
| Citazione: | Epitaxy, Overlayer Growth, and Surface Segregation for Co/GaAs (110) and Co/GaAs (100)-c(8x2) / Xu, Fang; Joyce, Jj; Ruckman, Mw; Chen, Hw; Boscherini, F; Hill, Dm; Chambers, Sa; Weaver, Jh. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - 35(1987), pp. 2375-2384. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.11770/139759 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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