Use of Angle Dependent Photoemission for Atom Profiling: Au on III-V Compound Semiconductors / Shapira, Y; Xu, Fang; Hill, Dm; Weaver, Jh. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - 51(1987), pp. 118-120.
Scheda prodotto non validato
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo
Titolo: | Use of Angle Dependent Photoemission for Atom Profiling: Au on III-V Compound Semiconductors |
Autori: | |
Data di pubblicazione: | 1987 |
Rivista: | |
Citazione: | Use of Angle Dependent Photoemission for Atom Profiling: Au on III-V Compound Semiconductors / Shapira, Y; Xu, Fang; Hill, Dm; Weaver, Jh. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - 51(1987), pp. 118-120. |
Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.11770/158749 |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.