Structural and Electrical Analysis of Thin Interface Control Layers of MgO or Al2O3 Deposited by Atomic Layer Deposition and Incorporated at the high-k/III-V Interface of MO2/InxGa1-xAs (M = Hf|Zr, x = 0|0.53) Gate Stacks

	Anno
	
			2010
		
	Codice ISBN
	
			978-156677821-3
		
	Appare nelle tipologie:
	
			4.1 Contributo in Atti di convegno

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.11770/176699

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