Electrical characterisation of Pd/HfO2 MOSCAPs with/without a thin Al2O3 or MgO interface control layer deposited on GaAs or In0.53Ga0.47As/InP by ALD

Anno

2010

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.11770/176725

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