ACURIO MENDEZ, ELIANA MARIBEL
 Distribuzione geografica
Continente #
AS - Asia 135
NA - Nord America 132
EU - Europa 75
SA - Sud America 25
AF - Africa 4
Totale 371
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 130
SG - Singapore 52
CN - Cina 25
UA - Ucraina 19
BR - Brasile 16
SE - Svezia 16
VN - Vietnam 16
DE - Germania 15
IN - India 14
HK - Hong Kong 11
FI - Finlandia 7
IT - Italia 6
IQ - Iraq 4
AR - Argentina 3
BE - Belgio 3
SN - Senegal 3
BD - Bangladesh 2
FR - Francia 2
GB - Regno Unito 2
IE - Irlanda 2
JO - Giordania 2
KR - Corea 2
NP - Nepal 2
PY - Paraguay 2
TR - Turchia 2
AT - Austria 1
BO - Bolivia 1
CA - Canada 1
CH - Svizzera 1
EC - Ecuador 1
ID - Indonesia 1
MX - Messico 1
PH - Filippine 1
RU - Federazione Russa 1
SA - Arabia Saudita 1
UY - Uruguay 1
VE - Venezuela 1
ZA - Sudafrica 1
Totale 371
Città #
Chandler 32
Singapore 26
Jacksonville 12
Dearborn 11
Hong Kong 10
San Jose 10
Bengaluru 7
Helsinki 7
Boardman 6
Ho Chi Minh City 6
Beijing 4
Hanoi 4
Ashburn 3
Bremen 3
Brooklyn 3
Brussels 3
Dakar 3
Lawrence 3
Milan 3
Roxbury 3
Salem 3
San Mateo 3
The Dalles 3
Amman 2
Baghdad 2
Columbus 2
Council Bluffs 2
Curitiba 2
Da Nang 2
Dublin 2
Kathmandu 2
Lauterbourg 2
Seoul 2
Shanghai 2
Wilmington 2
Aparecida de Goiânia 1
Asunción 1
Atlanta 1
Bom Jesus 1
Buffalo 1
Caacupé 1
Cabo Frio 1
Cambridge 1
Cape Town 1
Capelinha 1
Central District 1
Córdoba 1
Dallas 1
Dehradun 1
Eluru 1
Erbil 1
Falkenstein 1
Falmouth 1
Haiphong 1
Hangzhou 1
Hartsville 1
Hải Dương 1
Ibiporã 1
Ibirité 1
Izmir 1
Jakarta 1
Kilis 1
Lausanne 1
Los Angeles 1
Makati City 1
Manaus 1
Medina 1
Mexico City 1
Montevideo 1
Mérida 1
Norwalk 1
Osceola 1
Otradnoye 1
Ottawa 1
Padova 1
Palmas 1
Parauapebas 1
Phoenix 1
Poltava 1
Quitilipi 1
Quito 1
San Justo 1
Santo Antônio de Pádua 1
Seelze 1
Shenyang 1
Stockholm 1
São João 1
São Mateus 1
São Paulo 1
Thiruvananthapuram 1
Tianjin 1
Três Pontas 1
Vienna 1
Xingtai 1
Ấp Tháp Mười 1
Totale 252
Nome #
Reliability in GaN-based devices for power applications 133
Influence of GaN- and Si 3 N 4 -Passivation layers on the performance of AlGaN/GaN diodes with a gated edge termination 124
Reliability improvements in AlGaN/GaN schottky barrier diodes with a gated edge termination 118
Totale 375
Categoria #
all - tutte 2.355
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 2.355


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2020/20213 0 0 0 0 0 0 0 0 0 3 0 0
2021/202236 0 3 0 9 3 0 0 5 1 3 3 9
2022/202353 10 7 2 9 7 7 0 4 6 0 0 1
2023/202431 4 4 0 4 3 0 0 2 1 1 5 7
2024/202561 0 6 5 7 4 10 0 7 4 1 6 11
2025/2026137 18 1 9 12 30 17 8 18 10 14 0 0
Totale 375