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EnglishImpact of AlN layer sandwiched between the GaN and the Al2O3 layers on the performance and reliability of recessed AlGaN/GaN MOS-HEMTs / Acurio E; Crupi F; Magnone P; Trojman L; Iucolano F. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - (2017).
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| Titolo: | Impact of AlN layer sandwiched between the GaN and the Al2O3 layers on the performance and reliability of recessed AlGaN/GaN MOS-HEMTs |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2017 |
| Rivista: | |
| Citazione: | Impact of AlN layer sandwiched between the GaN and the Al2O3 layers on the performance and reliability of recessed AlGaN/GaN MOS-HEMTs / Acurio E; Crupi F; Magnone P; Trojman L; Iucolano F. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - (2017). |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.11770/133935 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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http://hdl.handle.net/20.500.11770/133935
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