CINECA IRIS Institutional Research Information System
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EnglishA first study of the BTI reliability of a 6 Å EOT CMOS process for potential application in sub-threshold logic is presented. Considerable threshold voltage shifts are observed also for sub-threshold operation. The observed shifts convert to a remarkable current reduction due to the exponential dependence of cur- rent on Vth in this operating regime. Moreover, the pMOS is observed to degrade significantly more w.r.t. the nMOS device, inducing a detrimental Vth-imbalance. A proper device failure criterion is proposed, based on simulation of the DC robustness of an inverter logic circuit.
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| Titolo: | BTI Reliability of Ultra-Thin EOT MOSFETs for Sub-Threshold Logic | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2012 | |
| Rivista: | ||
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.11770/158804 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/20.500.11770/158804
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