Experimental evidence of the quantum point contact theory in the conduction mechanism of bipolar HfO2-based resistive random access memories / Prócel, Lm; Trojman, L; Moreno, J; Maccaronio, V; Crupi, Felice; Degraeve, R; Goux, L; Simoen, E.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 114:074509(2013).
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Titolo: | Experimental evidence of the quantum point contact theory in the conduction mechanism of bipolar HfO2-based resistive random access memories |
Autori: | |
Data di pubblicazione: | 2013 |
Rivista: | |
Citazione: | Experimental evidence of the quantum point contact theory in the conduction mechanism of bipolar HfO2-based resistive random access memories / Prócel, Lm; Trojman, L; Moreno, J; Maccaronio, V; Crupi, Felice; Degraeve, R; Goux, L; Simoen, E.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 114:074509(2013). |
Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.11770/138940 |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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