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EnglishThis paper presents a comparative study on non-volatile cache memories based on nanoscaled spin-transfer torque (STT)-magnetic tunnel junctions (MTJs). In particular, the impact of using double-barrier MTJs (DMTJs) instead of conventional single-barrier MTJs (SMTJs) is evaluated through a device-to-system level simulation framework. Simulation results demonstrate that DMTJ-based STT-MRAMs are promising competitors for the next generation of non-volatile cache memories.
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| Titolo: | Device-to-system level simulation framework for STT-DMTJ based cache memory |
| Autori: | LANUZZA, Marco (Corresponding) |
| Data di pubblicazione: | 2019 |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.11770/303197 |
| ISBN: | 978-1-7281-0996-1 |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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http://hdl.handle.net/20.500.11770/303197
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